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傳三星8層HBM3E已通過英偉達(NVDA.US)測試 Q4開始供貨

發布時間:2024-08-07 22:13:28

據三位知情人士透露,三星電子(SSNLF.US)第五代高帶寬內存(HBM)芯片(HBM3E)的一個版本已經通過了英偉達(NVDA.US)的測試,可用于其人工智能處理器。

這一資格為這家全球最大的存儲芯片制造商掃清了一個主要障礙,該公司一直在努力追趕其韓國競爭對手SK海力士,以提供能夠處理生成式人工智能工作的先進存儲芯片。

消息人士稱,三星和英偉達尚未簽署批準的8層HBM3E芯片的供應協議,但預計很快就會簽署,并補充道,他們預計供應將于2024年第四季度開始。

不過,消息人士稱,這家韓國科技巨頭的12層HBM3E芯片尚未通過英偉達的測試。

三星和英偉達均拒絕置評。

據了解,HBM是一種動態隨機存取存儲器(DRAM)標準,通過垂直堆疊芯片以節省空間和降低能耗。作為人工智能GPU的關鍵組件,它有助于處理復雜應用程序產生的大量數據。

今年5月有報道援引消息人士的話稱,自去年以來,三星一直在尋求通過英偉達對HBM3E以及之前第四代HBM3型號的測試,但由于熱量和功耗問題,三星始終未能通過測試。

據知情人士透露,該公司已重新設計了HBM3E設計,以解決這些問題。

三星在5月的報道后回應稱,由于散熱和功耗問題,其芯片未能通過英偉達的測試是不真實的。

半導體研究機構SemiAnalysis的創始人Dylan Patel表示:“三星在HBM領域仍在追趕。雖然他們將在第四季度開始出貨8層HBM3E,但他們的競爭對手SK海力士正在同時加快出貨12層HBM3E。”

據上個月的報道稱,英偉達最近對三星HBM3芯片進行了認證,該芯片用于為中國市場開發的定制人工智能芯片H20。

英偉達批準三星最新的HBM芯片之際,由于人工智能的蓬勃發展,對復雜GPU的需求不斷上升,英偉達和其他AI芯片組制造商正努力滿足這一需求。

根據研究公司TrendForce的數據,HBM3E芯片可能會成為今年市場上的主流HBM產品,出貨量將集中在下半年。領先的制造商SK海力士估計,到2027年,對HBM存儲芯片的需求總體上可能會以每年82%的速度增長。

三星在7月份預測,到第四季度,HBM3E芯片將占其HBM芯片銷售額的60%,許多分析師表示,如果其最新的HBM芯片在第三季度通過英偉達的最終批準,這一目標就有可能實現。

三星沒有提供具體芯片產品的收入明細。根據對15位分析師的調查顯示,三星今年上半年DRAM芯片的總營收估計為22.5萬億韓元(164億美元),其中約10%可能來自HBM的銷售。

目前,HBM只有三家主要制造商——SK海力士、美光科技(MU.US)和三星。

SK海力士一直是英偉達HBM芯片的主要供應商,并于3月底向一位不愿透露身份的客戶供應了HBM3E芯片。消息人士早些時候表示,貨物運往英偉達。

美光也表示,將向英偉達供應HBM3E芯片。

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